Ⅰ 芯片研发所需要的成本到底有多高科技企业的研发成本又是如何来的呢
芯片，又称微电路、微芯片、集成电路等等。具体指的是那些内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分！我们通常所理解的芯片主要是在电脑，手机等通信领域使用率高的场景内，但其实芯片的应用范围远远不止这些！比如很多家用电器，智能，人脑等等领域都有广泛的应用场景！因此芯片又被称之为“工业粮食"，可知其对于工业的重要性！
言归正传，我国对于芯片的使用情况如何呢？
不得不说我国也是一个芯片的使用大国，很多领域都有芯片的身影。在2016一年中，我国芯片进口额高达2271亿美元，这是连续4年进口额超过2000亿美元。而芯片进口的花费已经连续两年超过了原油的进口花费，过去十年累计耗资更是高达1.8万亿美元！虽然花费巨大，但是却又迫不得已，因为芯片普遍用于众多热门高新科技领域，比如手机，汽车，计算机等等，如果没有自主研发的芯片，那么就只能进口人家的，哪怕多贵也得啃下去啊！
问题来了，我国在很多领域都处于世界先进水平，然而为何小小的芯片却未能自主研发呢？
芯片生产有多难？我国处于芯片状况如何？
记得有人问过一个问题：芯片和原子弹生产相比，哪个比较难？这里可以负责任地告诉大家，芯片的生产研发难度要远远高于原子弹！说芯片的研发与制造能力是代表了一个国家整体的科技水平一点都不为过！
可能在很早之前，有些人可能听说过我国研发的“龙芯一号”，“龙芯二号”中央处理器等等！有人可能就会认为我国其实很早就掌握了芯片的独立自主研发能力！其实这是不正确的，因为其所用的绝大多数材料仍然来自于国外进口，比如原材料、外延片、晶圆、封装测试等等，都没有实现完全的独立自主研发！所以以至于知道现在，还要依靠着大量的技术进口，才能够维持国内的一些领域！
其实这并不是说我国的科技水平低下，而是芯片的研发难度实在太大了！
主要难度其实并不能通过一篇文章就讲清楚，因为它的生产经过了非常多的工序流程，生产规模庞大，系统极为复杂，而且所需投入的成本也是极大的！当今有名的芯片提供商有英特尔，三星，高通等，全球提供商不超过30家，出名的更是不超过10家！
我个人认为我国芯片研发之所以落后是因为以下几点原因:
国内芯片产业起步晚，导致技术的劣势比较明显，生产的芯片在品质和性能上难以得到保证。（起步晚）
国内很多芯片企业早起给予政府支持，在一定程度上脱离市场规律，存在投机取巧心理，过度依赖政府扶持，最终导致核心能力不强，以至于难以正真走向市场！（过度依赖）
芯片产业更新换代速度很快，且产业门槛较高，属于高投入、高研发，但是回报可能较慢。（成本技术风险高）
国内产业链的整体发展水平和垂直整合直接影响国内芯片产业发展和效率的提升。（产业链的影响）
最后还是想说，一直以来受到国外技术封锁，加上我国对于高新产业起步较晚，能以达到瞬间的崛起与超高水平的超越，这都是情有可原的！但是我相信未来几年后，我国一定可以研发出属于自己的“中国芯”！
Ⅱ 有谁知道iPhone 6s成本价格是多少
虽然此前苹果公司 CEO 蒂姆·库克曾经表示，行业中 iPhone 成本的预估并不准确，但是由于苹果 iPhone 向来拥有业界最高的利润率，所以最新推出的 iPhone 6s 每部能够让苹果赚到多少钱，自然也成为了大家关心的话题。
研究机构 IHS Technology 也没有因为库克的一句话而停止分析 iPhone 成本，今天他们又来满足我们的好奇心了——发布了苹果 iPhone 6s 和 iPhone 6s Plus 的硬件材料成本分别为 211.50 美元和 236 美元。
该研究机构指出，苹果新的 3D Touch 屏幕是所有硬件部件中成本最高的，iPhone 6s Plus 的为 52.5 美元，接下来是苹果 A9 处理器，为 22 美元。其他重要部件包括 2GB DRAM 模块的成本为 17 美元，高通基带芯片为 13 美元，前置和后置摄像头模块的成本为 22.5 美元。
16GB NAND 闪存芯片的成本为 5.5 美元，而 WLAN 模块和电池组的成本则分别是 6 美元和 4.5 美元。设备上的音频硬件、NFC 控制器、加速计/陀螺仪、气压计和指南针的成本总共为 18 美元。其他杂七杂八的东西，比如外壳、电路板和连接器等总共为 42 美元，组装费为每台 4.5 美元。
除了 IHS 之外，TechInsights 也对 iPhone 6s 的成本进行了分析，他们分析的是 64GB 版 iPhone 6s。他们认为，整个 iPhone 6s 最贵的零件是统一封装的应用处理器加内存，其价格为 58.5 美元，占据了差不多四分之一的总成本。此外，触控屏总成部分也是 iPhone 6s 比较昂贵的部分，包括显示屏和触控屏的总价值为 42.5 美元。
还有 28 美元的机械结构与外壳、25 美元的闪存、23.5美元的射频器件，但摄像头与成像元件则只有 19 美元，还有就是 7.5 美元的电源管理单元与音频模块，5.5 美元的传感器，3.5 美元的电池以及 15.5 美元的其他零件。而作为对比，去年的 iPhone 6 物料成本为 228.5 美元，所以在 iPhone 6s 成本大约增加了 9% 的情况下， iPhone 6s 仍维持原有的价格，还是算得上是“加量不加价”。
上周新机上市之后，iFixit 就马上对两款新 iPhone 进行了拆解，他们发现新机的内部布局和去年的机型基本没有差异。为了3D Touch屏幕，苹果对外形尺寸做了小幅改动，机身重量增加，电池容量减小，为新的 Taptic Engine 振动机制留出更多空间。
专注于芯片拆解与分析的 Chipworks 今天在一份报告中表示，他们已经确认 A9 芯片有两个版本，同时还确认来自三星的那个版本是 iPhone 6s 专用，因为它的面积更小，为 96 平方毫米;台积电的版本则是 iPhone 6s Plus 专用，面积为 104.5平方毫米。从面积上看，三星的 14nm APL0898 比台积电的 16nm APL 1022 要小将近 10%，比上一代 A8 芯片小约 80%。
Chipworks 还表示，如果从跑分的角度来看，14nm A9 会比 16 nm A9 更优秀，主要就是因为其面积更小。但是他们还没有公布具体的跑分以及性能测试对比。
Ⅲ 你认为iphone6的成本到底有多少
接触过Apple代工厂的人就会知道，这么多年来，为了把iPhone做到现有技术和工艺的极致，Apple对于元器件厂商、代工厂的教育、培训、各种认证是持续不断的。可以确定地说，为Apple代工，把中国大陆的电子产品加工水平提升了好几个档次。对于iPhone这样的产品来说，第二部分成本可能会比第一部分成本更高。如果让我来估计，对iPhone6来说，以人民币计算的话，实际的硬件成本大概1200~1500，折算后每台分摊的研发成本大概1200~1800，每台分摊的营销成本大概200~500。
Ⅳ 台积电5天涨价3次，芯片成本上涨50%，会带来哪些影响
报应
Ⅳ 闪存芯片的简介
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。 闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。 以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。 工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则
K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率可达33MHz。 制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K)Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。
Ⅵ 怎样能看出闪存芯片的好坏
最好的是PHILIPS芯片---它几乎一向都出现在高端的MP3中，功能非常强大，音质相对其他方案也更加的突出。可以这么说，PHILIPS是目前最好的MP3芯片制造商，它的MP3芯片是目前市场上音质表现最好的。
以下是常见的解码器和应用厂家：
1、飞利浦的SAA7750，价格较贵，光电子成本都需要RMB260左右，音质相对其他方案更加的突出，主要在进口MP3才用到，同时芯片是BGA封装，国内生产技术有限。
2、韩国的TELECHIPS的TCC730，价格比SAA7750便宜一点，需要外接ROM，外围元件多点，因此太小的MP3还做不了，音质还算可以。
3、韩国ECT公司的SKYLARK芯片，目前国产的纽扣机都用到，只是目前还不支持WMA，价格与STMP3410差不多，功能较全。
4、STMP3410，由于很多开发公司都从事这块芯片开发，因此目前能做的功能越来越多，包括电子图片，歌词同步，TXT阅读，闹钟等。但由于它的部分程序放在FLASH上，因此容易出现丢程序现象
5、凌阳方案，价格比STMP3410要便宜点，音质一般，国产MP3很多用到，但反修率要比STMP3410和炬力ATJ2075低，也是未来国产机比较多人采用的。
6、炬力ATJ2075，国产低端MP3大部分采用，因为服务比较好，比较贴近用户，因此目前的份额正增大。
7、珠海科广，用的工厂较少，市面上仿JNC的圆筒机就是用到这个方案，价格和炬力差不多，还未完全完善。
8、华矽，市面上最低端的方案，价格便宜，功能简单，音质不好。
9、台湾ACCFAST。
10、早期的cirrus,cs72xx cs73xx是mp3方案中的最主要方案。