Ⅰ 独家｜50大光伏项目建造成本分析
【文| 黑鹰光伏 王亮 刘洋】
从2020年至今，光伏行业公布的扩张项目总量超过130个，总投资额超过5000亿元。
那么，硅料、硅棒、硅片、电池、组件、逆变器、设备、辅材等不同环节的项目建设成本是多少？
黑鹰光伏统计了超过50个光伏重大项目的关键投资数据， 基本涵盖光伏各核心产业链，主要统计信息为项目名称、投资预算、建设期限、施工地点及建设成本等，相信能帮助读者对各产业链建设成本有更为直观、详细的了解。
特别注： 数据主要来自于企业招股说明书、投资公告、募集资金说明书等公开数据，建设成本主要为工程费用、设备费用等建设投资支出。
需要特别说明的是，下面各产业链中，看似投资的是相同的光伏产品，但可能由于技术类型的差异等，导致最终企业间投资成本出现重大差异，这也在情理之中，本文不构成任何投资建议。
建设规模越大，投资成本越低。比如京运通“乌海10GW高效单晶硅棒项目”每GW建设成本为21341万元，这较上机数控“2GW单晶硅棒项目”建设成本低了45.85%。
如下表所示，根据各自企业公开数据，仅从建造成本角度来看，颗粒硅的建设成本确实要低于多晶硅。
根据特变电工公司公告，其“年产10万都高纯多晶硅项目”建设投资合计为82.80亿元，每吨建设成本为8.28亿元。
而保利协鑫能源与上市数控公布的“30万吨颗粒硅项目”总投资约为180亿元，每吨建造成本约为6亿元，较前者约降低了27.54%，而其披露的总投资里面可能还涵盖流动资金，若是如此，其建设成本可能更低。
笔者统计数据发现，目前单晶硅片领域两个最大单体在建项目是高景太阳能、中环股份的 “50GW单晶硅片项目”，不过，建设成本却有巨大差异。
据黑鹰光伏统计，高景太阳能单晶硅片项目每GW建设成本约为34000万元，中环股份的每GW建设成本约为24000万元，后者较前者低了29.41%。（注：高景太阳能、中环股份披露的建设总投资中可能涵盖流动资金）
黑鹰统计数据显示，电池片领域的建设成本更是千差万别。
如下表所示，建设成本最高的项目为隆基股份“西安泾渭新城年产5GW单晶电池项目”，每GW建设成本为42852万元；最低的项目为通威股份“年产7.5GW高效晶硅太阳能电池智能工厂项目”，建设成本为29333万元。
即便是同规模的项目也有很大差异。比如同样是5GW单晶电池项目，隆基股份、聆达股份、弘业新能源三者每GW建设成本分别为42852万元、33682万元和32560万元。
如下表所示，叠瓦组件的建设成本要远高于其他组件项目。一般市场主流高效组件产品每GW建设成本基本在14000万元一下，而叠瓦组件的建设成本则在30000万元以上。（注：中环叠瓦项目建设投资中可能涵盖流动资金）
目前可查到的光伏背板项目有三个，分别来自于福莱特、明冠新材和赛伍技术，三者投资成本也存在很大差异。
其中最大的项目的来自福莱特“年产 4200 万平方光伏背板玻璃项目”，每万平方米建设成本为12.09万元；其次是，赛伍技术“年产太阳能背板 3300 万平方米项目”，每万平方米建设成本为3.76万元；最后是明冠新材的“年产 3000 万平方米太阳能电池背板扩建项目”，建设成本为5.22万元/万平方米。
从黑鹰光伏统计数据看，光伏胶膜每亿平方米建设成本已经降至30000万元以下，从福斯特和赛伍技术的投资数据看，后者对投资成本更具掌控力。
比如福斯特“滁州年产 5 亿平方米光伏胶膜项目”建设成本为29069万元/亿平方米，而赛伍技术“年产2.55亿平方米太阳能封装胶膜项目”建设成本为27490万元/亿平方米，后者建设规模更小，建设成本反而更低？
最近一年金刚线新建设项目信息较为有限，但我们从美畅股份和三超新材公布的金刚线项目建设中对其投资成本仍能有一定了解。
美畅股份“年产 1500 万公里高效金刚石线项目”建设总投资约为55400万元，建设成本为36.93万元/万平方公里；而三超新材“年产 1000 万公里超细金刚石线锯生产项目一期”建设成本为27.30万元。
下面图表涵盖逆变器、光伏制造设备、光伏支架、银浆、储能等其他核心光伏产业链，由于目前不同企业公布的投资项目类别与数据单位存在差异，很难进一步做准确对比、分析，所以下面仅做简单数据展示，供读者参详。
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Ⅱ 内蒙古呼和浩特投资建设生产单晶硅的工厂，前景怎么样预计投资4000W，厂房用地批下100+亩够不够
单晶硅和多晶硅现在属于国家限制项目，上得太多了，而且属于原料市场和产品市场两头在外的行业。现在国内已经投产、建设中及准备上马的项目太多了，利润空间不大。
Ⅲ 请问：单晶硅生产线主要设备有哪些，每项设备的主要厂家、设备型号，影响最终生产效率的主要因素
要建设单晶硅生产线，除了硅晶体生长设备外，还一般要建起相关的配套设施：供配电系统、冷却水系统、惰性气体供应系统，真空系统以及生产环境所需的空调空气过滤系统，
常见的硅晶体生长炉有：上海汉红 浙江晶胜 北京经运通 华胜天龙 西安理工等
像自动化程度比较高的有 浙江晶胜 上海汉红 美国凯科斯等当然价格是很昂贵的，国产8寸的炉子价格在一百五十万以上 进口合资的更高一般两百万以上。单晶炉的设备型号主要以炉子的装料量和拉制晶棒的直径来定义：85 90等
国产半自动的炉子主要有：经运通 西安理工 晶仪 晶龙和天龙等，这些炉子只能在等径和收尾的时候自动运行人工干预的程度比上面提到的炉子要大，但价格便宜，结实来用所以也有很多厂家在用。
要拉出一根高品质的晶棒，除了运行可靠、控制平稳的炉子外更大程度是和所用原料、配料工艺以及保温热场有关，所以除了挑选合适的单晶炉外，我们还需要对原料的采购、配料工艺的制定、热场和石英坩埚的选择有严格要求。
Ⅳ 请问办一个太阳能电池板生产厂 需要什么设备 需要多少资金
经济危机以后不知道价格了，一条单晶硅的生产线估计是这样：
1、清洗 设备简单自己做，约5-20万
2、扩散 国产四十八所的就行，几十万吧
3、刻蚀 也是四十八所的
4、pecvd 德国的或者四十八所的，几十万到几百万
5、印刷 德国、日本、国产都有，重要的是那烧结炉和烘干炉，美国的，几百万
厂房净化，配套的空调，空压机管路，自己做，得一百多万，
纯水得几十万，硅烷管路雇韩国人做，得几十万
估计最少1000万
电池片组件设备投入比较少，最贵的是层压机，几十万，有200万足够建成了，但是流动资金大，而且必须通过欧盟认证，也不容易
Ⅳ 单晶硅芯片制造过程
制造芯片的基本原料
如果问及芯片的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成芯片，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？
除去硅之外，制造芯片还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的芯片工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。
这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了芯片的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。
除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。
芯片制造的准备阶段
在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。
而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍芯片的制造过程。
单晶硅锭
在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品芯片的质量。
单晶硅锭
新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。
光刻蚀
这是目前的芯片制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
掺杂
在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。
重复这一过程
从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。
接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。
而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷(这种缺陷足以导致绝大多数的芯片瘫痪)，那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。
在芯片的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。
Ⅵ 建新工厂怎样核算成本投入
建新工厂，至少每一笔支出都要有分类明细账。骋一个好会计，从最初的实收资本开始记账，把每一笔支出详细分类记载，比如说，购土地，缴纳契税，日常开支等。
Ⅶ 单晶硅的生产工艺流程
单晶硅的生产工艺:1.石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态，气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体，两端用石墨夹住。当气体通过盒子时，子晶体会将其中一种气体吸收到子晶体中，子晶体逐渐变厚。因为有些变成固体了，所以很慢，大概一个月。2.酸洗当然还有大量的废气等等。(四氯化硅)在生产过程中产生。现在看来是处理不好了。事不宜迟，等原生多晶体有了，就开始酸洗，氢氟酸，硝酸，醋酸等等。原生多晶体外的东西洗干净后，会放入烘房烘干，无尘检验，包装。3.拉晶要拉晶，拉晶就是在拉晶炉里加热熔化多晶硅。将晶体向上提拉后，工人们首先将多晶硅放入应时坩埚中。(为了降低成本，工厂还会用一些洗过的电池片和碎硅片一起熔化。)关炉加热。应时锅的熔点是1700度，硅的熔点只有1410度左右。硅熔化后，应时坩埚慢慢上升，晶体从上面下降到坩埚的中心液面。同时锅底电加热，液面冷却，晶体指向液面会出现光点。慢慢旋转，拉起，放肩，转肩，正常拉杆，完成。大约一天半后，一根单晶棒就会出来。4.切割正方形当单晶棒可用时，切割正方形。单晶棒通常为6英寸，P型，电阻率为0.5-6欧姆(一英寸约等于2.4厘米)。把棒的四边切掉，做成带倒角的正方形，切片，每片0.22毫米。
Ⅷ 投资做硅片厂要多少钱 {是用 普通沙子能炼出来的，能做光伏组件用的，谢谢}
要从普通沙子提炼到单晶硅，多晶硅的厂。要几千万把。