Ⅰ 晶元研發所需要的成本到底有多高科技企業的研發成本又是如何來的呢
晶元，又稱微電路、微晶元、集成電路等等。具體指的是那些內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分！我們通常所理解的晶元主要是在電腦，手機等通信領域使用率高的場景內，但其實晶元的應用范圍遠遠不止這些！比如很多家用電器，智能，人腦等等領域都有廣泛的應用場景！因此晶元又被稱之為「工業糧食"，可知其對於工業的重要性！
言歸正傳，我國對於晶元的使用情況如何呢？
不得不說我國也是一個晶元的使用大國，很多領域都有晶元的身影。在2016一年中，我國晶元進口額高達2271億美元，這是連續4年進口額超過2000億美元。而晶元進口的花費已經連續兩年超過了原油的進口花費，過去十年累計耗資更是高達1.8萬億美元！雖然花費巨大，但是卻又迫不得已，因為晶元普遍用於眾多熱門高新科技領域，比如手機，汽車，計算機等等，如果沒有自主研發的晶元，那麼就只能進口人家的，哪怕多貴也得啃下去啊！
問題來了，我國在很多領域都處於世界先進水平，然而為何小小的晶元卻未能自主研發呢？
晶元生產有多難？我國處於晶元狀況如何？
記得有人問過一個問題：晶元和原子彈生產相比，哪個比較難？這里可以負責任地告訴大家，晶元的生產研發難度要遠遠高於原子彈！說晶元的研發與製造能力是代表了一個國家整體的科技水平一點都不為過！
可能在很早之前，有些人可能聽說過我國研發的「龍芯一號」，「龍芯二號」中央處理器等等！有人可能就會認為我國其實很早就掌握了晶元的獨立自主研發能力！其實這是不正確的，因為其所用的絕大多數材料仍然來自於國外進口，比如原材料、外延片、晶圓、封裝測試等等，都沒有實現完全的獨立自主研發！所以以至於知道現在，還要依靠著大量的技術進口，才能夠維持國內的一些領域！
其實這並不是說我國的科技水平低下，而是晶元的研發難度實在太大了！
主要難度其實並不能通過一篇文章就講清楚，因為它的生產經過了非常多的工序流程，生產規模龐大，系統極為復雜，而且所需投入的成本也是極大的！當今有名的晶元提供商有英特爾，三星，高通等，全球提供商不超過30家，出名的更是不超過10家！
我個人認為我國晶元研發之所以落後是因為以下幾點原因:
國內晶元產業起步晚，導致技術的劣勢比較明顯，生產的晶元在品質和性能上難以得到保證。（起步晚）
國內很多晶元企業早起給予政府支持，在一定程度上脫離市場規律，存在投機取巧心理，過度依賴政府扶持，最終導致核心能力不強，以至於難以正真走向市場！（過度依賴）
晶元產業更新換代速度很快，且產業門檻較高，屬於高投入、高研發，但是回報可能較慢。（成本技術風險高）
國內產業鏈的整體發展水平和垂直整合直接影響國內晶元產業發展和效率的提升。（產業鏈的影響）
最後還是想說，一直以來受到國外技術封鎖，加上我國對於高新產業起步較晚，能以達到瞬間的崛起與超高水平的超越，這都是情有可原的！但是我相信未來幾年後，我國一定可以研發出屬於自己的「中國芯」！
Ⅱ 有誰知道iPhone 6s成本價格是多少
雖然此前蘋果公司 CEO 蒂姆·庫克曾經表示，行業中 iPhone 成本的預估並不準確，但是由於蘋果 iPhone 向來擁有業界最高的利潤率，所以最新推出的 iPhone 6s 每部能夠讓蘋果賺到多少錢，自然也成為了大家關心的話題。
研究機構 IHS Technology 也沒有因為庫克的一句話而停止分析 iPhone 成本，今天他們又來滿足我們的好奇心了——發布了蘋果 iPhone 6s 和 iPhone 6s Plus 的硬體材料成本分別為 211.50 美元和 236 美元。
該研究機構指出，蘋果新的 3D Touch 屏幕是所有硬體部件中成本最高的，iPhone 6s Plus 的為 52.5 美元，接下來是蘋果 A9 處理器，為 22 美元。其他重要部件包括 2GB DRAM 模塊的成本為 17 美元，高通基帶晶元為 13 美元，前置和後置攝像頭模塊的成本為 22.5 美元。
16GB NAND 快閃記憶體晶元的成本為 5.5 美元，而 WLAN 模塊和電池組的成本則分別是 6 美元和 4.5 美元。設備上的音頻硬體、NFC 控制器、加速計/陀螺儀、氣壓計和指南針的成本總共為 18 美元。其他雜七雜八的東西，比如外殼、電路板和連接器等總共為 42 美元，組裝費為每台 4.5 美元。
除了 IHS 之外，TechInsights 也對 iPhone 6s 的成本進行了分析，他們分析的是 64GB 版 iPhone 6s。他們認為，整個 iPhone 6s 最貴的零件是統一封裝的應用處理器加內存，其價格為 58.5 美元，占據了差不多四分之一的總成本。此外，觸控屏總成部分也是 iPhone 6s 比較昂貴的部分，包括顯示屏和觸控屏的總價值為 42.5 美元。
還有 28 美元的機械結構與外殼、25 美元的快閃記憶體、23.5美元的射頻器件，但攝像頭與成像元件則只有 19 美元，還有就是 7.5 美元的電源管理單元與音頻模塊，5.5 美元的感測器，3.5 美元的電池以及 15.5 美元的其他零件。而作為對比，去年的 iPhone 6 物料成本為 228.5 美元，所以在 iPhone 6s 成本大約增加了 9% 的情況下， iPhone 6s 仍維持原有的價格，還是算得上是「加量不加價」。
上周新機上市之後，iFixit 就馬上對兩款新 iPhone 進行了拆解，他們發現新機的內部布局和去年的機型基本沒有差異。為了3D Touch屏幕，蘋果對外形尺寸做了小幅改動，機身重量增加，電池容量減小，為新的 Taptic Engine 振動機制留出更多空間。
專注於晶元拆解與分析的 Chipworks 今天在一份報告中表示，他們已經確認 A9 晶元有兩個版本，同時還確認來自三星的那個版本是 iPhone 6s 專用，因為它的面積更小，為 96 平方毫米;台積電的版本則是 iPhone 6s Plus 專用，面積為 104.5平方毫米。從面積上看，三星的 14nm APL0898 比台積電的 16nm APL 1022 要小將近 10%，比上一代 A8 晶元小約 80%。
Chipworks 還表示，如果從跑分的角度來看，14nm A9 會比 16 nm A9 更優秀，主要就是因為其面積更小。但是他們還沒有公布具體的跑分以及性能測試對比。
Ⅲ 你認為iphone6的成本到底有多少
接觸過Apple代工廠的人就會知道，這么多年來，為了把iPhone做到現有技術和工藝的極致，Apple對於元器件廠商、代工廠的教育、培訓、各種認證是持續不斷的。可以確定地說，為Apple代工，把中國大陸的電子產品加工水平提升了好幾個檔次。對於iPhone這樣的產品來說，第二部分成本可能會比第一部分成本更高。如果讓我來估計，對iPhone6來說，以人民幣計算的話，實際的硬體成本大概1200~1500，折算後每台分攤的研發成本大概1200~1800，每台分攤的營銷成本大概200~500。
Ⅳ 台積電5天漲價3次，晶元成本上漲50%，會帶來哪些影響
報應
Ⅳ 快閃記憶體晶元的簡介
我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM）的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。
而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。 快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。 這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟（其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性），它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。 NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。 每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體（4Gb）提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀（穩定）時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀（穩定）時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。
讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器（隨機讀穩定時間）→數據傳出（每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。
寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。
K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。 以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為（1K+32）×16bit。
模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。 工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則
K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率可達33MHz。 製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。
綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間（如信號穩定時間等）等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。
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其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。
A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。
Ⅵ 怎樣能看出快閃記憶體晶元的好壞
最好的是PHILIPS晶元---它幾乎一向都出現在高端的MP3中，功能非常強大，音質相對其他方案也更加的突出。可以這么說，PHILIPS是目前最好的MP3晶元製造商，它的MP3晶元是目前市場上音質表現最好的。
以下是常見的解碼器和應用廠家：
1、飛利浦的SAA7750，價格較貴，光電子成本都需要RMB260左右，音質相對其他方案更加的突出，主要在進口MP3才用到，同時晶元是BGA封裝，國內生產技術有限。
2、韓國的TELECHIPS的TCC730，價格比SAA7750便宜一點，需要外接ROM，外圍元件多點，因此太小的MP3還做不了，音質還算可以。
3、韓國ECT公司的SKYLARK晶元，目前國產的紐扣機都用到，只是目前還不支持WMA，價格與STMP3410差不多，功能較全。
4、STMP3410，由於很多開發公司都從事這塊晶元開發，因此目前能做的功能越來越多，包括電子圖片，歌詞同步，TXT閱讀，鬧鍾等。但由於它的部分程序放在FLASH上，因此容易出現丟程序現象
5、凌陽方案，價格比STMP3410要便宜點，音質一般，國產MP3很多用到，但反修率要比STMP3410和炬力ATJ2075低，也是未來國產機比較多人採用的。
6、炬力ATJ2075，國產低端MP3大部分採用，因為服務比較好，比較貼近用戶，因此目前的份額正增大。
7、珠海科廣，用的工廠較少，市面上仿JNC的圓筒機就是用到這個方案，價格和炬力差不多，還未完全完善。
8、華矽，市面上最低端的方案，價格便宜，功能簡單，音質不好。
9、台灣ACCFAST。
10、早期的cirrus,cs72xx cs73xx是mp3方案中的最主要方案。