Ⅰ 獨家|50大光伏項目建造成本分析
【文| 黑鷹光伏 王亮 劉洋】
從2020年至今,光伏行業公布的擴張項目總量超過130個,總投資額超過5000億元。
那麼,硅料、硅棒、矽片、電池、組件、逆變器、設備、輔材等不同環節的項目建設成本是多少?
黑鷹光伏統計了超過50個光伏重大項目的關鍵投資數據, 基本涵蓋光伏各核心產業鏈,主要統計信息為項目名稱、投資預算、建設期限、施工地點及建設成本等,相信能幫助讀者對各產業鏈建設成本有更為直觀、詳細的了解。
特別註: 數據主要來自於企業招股說明書、投資公告、募集資金說明書等公開數據,建設成本主要為工程費用、設備費用等建設投資支出。
需要特別說明的是,下面各產業鏈中,看似投資的是相同的光伏產品,但可能由於技術類型的差異等,導致最終企業間投資成本出現重大差異,這也在情理之中,本文不構成任何投資建議。
建設規模越大,投資成本越低。比如京運通「烏海10GW高效單晶硅棒項目」每GW建設成本為21341萬元,這較上機數控「2GW單晶硅棒項目」建設成本低了45.85%。
如下表所示,根據各自企業公開數據,僅從建造成本角度來看,顆粒硅的建設成本確實要低於多晶硅。
根據特變電工公司公告,其「年產10萬都高純多晶硅項目」建設投資合計為82.80億元,每噸建設成本為8.28億元。
而保利協鑫能源與上市數控公布的「30萬噸顆粒硅項目」總投資約為180億元,每噸建造成本約為6億元,較前者約降低了27.54%,而其披露的總投資裡面可能還涵蓋流動資金,若是如此,其建設成本可能更低。
筆者統計數據發現,目前單晶矽片領域兩個最大單體在建項目是高景太陽能、中環股份的 「50GW單晶矽片項目」,不過,建設成本卻有巨大差異。
據黑鷹光伏統計,高景太陽能單晶矽片項目每GW建設成本約為34000萬元,中環股份的每GW建設成本約為24000萬元,後者較前者低了29.41%。(註:高景太陽能、中環股份披露的建設總投資中可能涵蓋流動資金)
黑鷹統計數據顯示,電池片領域的建設成本更是千差萬別。
如下表所示,建設成本最高的項目為隆基股份「西安涇渭新城年產5GW單晶電池項目」,每GW建設成本為42852萬元;最低的項目為通威股份「年產7.5GW高效晶硅太陽能電池智能工廠項目」,建設成本為29333萬元。
即便是同規模的項目也有很大差異。比如同樣是5GW單晶電池項目,隆基股份、聆達股份、弘業新能源三者每GW建設成本分別為42852萬元、33682萬元和32560萬元。
如下表所示,疊瓦組件的建設成本要遠高於其他組件項目。一般市場主流高效組件產品每GW建設成本基本在14000萬元一下,而疊瓦組件的建設成本則在30000萬元以上。(註:中環疊瓦項目建設投資中可能涵蓋流動資金)
目前可查到的光伏背板項目有三個,分別來自於福萊特、明冠新材和賽伍技術,三者投資成本也存在很大差異。
其中最大的項目的來自福萊特「年產 4200 萬平方光伏背板玻璃項目」,每萬平方米建設成本為12.09萬元;其次是,賽伍技術「年產太陽能背板 3300 萬平方米項目」,每萬平方米建設成本為3.76萬元;最後是明冠新材的「年產 3000 萬平方米太陽能電池背板擴建項目」,建設成本為5.22萬元/萬平方米。
從黑鷹光伏統計數據看,光伏膠膜每億平方米建設成本已經降至30000萬元以下,從福斯特和賽伍技術的投資數據看,後者對投資成本更具掌控力。
比如福斯特「滁州年產 5 億平方米光伏膠膜項目」建設成本為29069萬元/億平方米,而賽伍技術「年產2.55億平方米太陽能封裝膠膜項目」建設成本為27490萬元/億平方米,後者建設規模更小,建設成本反而更低?
最近一年金剛線新建設項目信息較為有限,但我們從美暢股份和三超新材公布的金剛線項目建設中對其投資成本仍能有一定了解。
美暢股份「年產 1500 萬公里高效金剛石線項目」建設總投資約為55400萬元,建設成本為36.93萬元/萬平方公里;而三超新材「年產 1000 萬公里超細金剛石線鋸生產項目一期」建設成本為27.30萬元。
下面圖表涵蓋逆變器、光伏製造設備、光伏支架、銀漿、儲能等其他核心光伏產業鏈,由於目前不同企業公布的投資項目類別與數據單位存在差異,很難進一步做准確對比、分析,所以下面僅做簡單數據展示,供讀者參詳。
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Ⅱ 內蒙古呼和浩特投資建設生產單晶硅的工廠,前景怎麼樣預計投資4000W,廠房用地批下100+畝夠不夠
單晶硅和多晶硅現在屬於國家限制項目,上得太多了,而且屬於原料市場和產品市場兩頭在外的行業。現在國內已經投產、建設中及准備上馬的項目太多了,利潤空間不大。
Ⅲ 請問:單晶硅生產線主要設備有哪些,每項設備的主要廠家、設備型號,影響最終生產效率的主要因素
要建設單晶硅生產線,除了硅晶體生長設備外,還一般要建起相關的配套設施:供配電系統、冷卻水系統、惰性氣體供應系統,真空系統以及生產環境所需的空調空氣過濾系統,
常見的硅晶體生長爐有:上海漢紅 浙江晶勝 北京經運通 華勝天龍 西安理工等
像自動化程度比較高的有 浙江晶勝 上海漢紅 美國凱科斯等當然價格是很昂貴的,國產8寸的爐子價格在一百五十萬以上 進口合資的更高一般兩百萬以上。單晶爐的設備型號主要以爐子的裝料量和拉制晶棒的直徑來定義:85 90等
國產半自動的爐子主要有:經運通 西安理工 晶儀 晶龍和天龍等,這些爐子只能在等徑和收尾的時候自動運行人工干預的程度比上面提到的爐子要大,但價格便宜,結實來用所以也有很多廠家在用。
要拉出一根高品質的晶棒,除了運行可靠、控制平穩的爐子外更大程度是和所用原料、配料工藝以及保溫熱場有關,所以除了挑選合適的單晶爐外,我們還需要對原料的采購、配料工藝的制定、熱場和石英坩堝的選擇有嚴格要求。
Ⅳ 請問辦一個太陽能電池板生產廠 需要什麼設備 需要多少資金
經濟危機以後不知道價格了,一條單晶硅的生產線估計是這樣:
1、清洗 設備簡單自己做,約5-20萬
2、擴散 國產四十八所的就行,幾十萬吧
3、刻蝕 也是四十八所的
4、pecvd 德國的或者四十八所的,幾十萬到幾百萬
5、印刷 德國、日本、國產都有,重要的是那燒結爐和烘乾爐,美國的,幾百萬
廠房凈化,配套的空調,空壓機管路,自己做,得一百多萬,
純水得幾十萬,硅烷管路雇韓國人做,得幾十萬
估計最少1000萬
電池片組件設備投入比較少,最貴的是層壓機,幾十萬,有200萬足夠建成了,但是流動資金大,而且必須通過歐盟認證,也不容易
Ⅳ 單晶硅晶元製造過程
製造晶元的基本原料
如果問及晶元的原料是什麼,大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假,但硅又來自哪裡呢?其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧,價格昂貴,結構復雜,功能強大,充滿著神秘感的晶元竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的,一定要精挑細選,從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下,如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成晶元,那麼成品的質量會怎樣,你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎?
除去硅之外,製造晶元還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止,鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料,而銅則逐漸被淘汰,這是有一些原因的,在目前的晶元工作電壓下,鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題,就是指當大量電子流過一段導體時,導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置,留下空位,空位過多則會導致導體連線斷開,而離開原位的原子停留在其它位置,會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能,進而導致晶元無法使用。
這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因,當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成,大幅提高晶元電壓時,嚴重的電遷移問題導致了晶元的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷,它顯然需要一些改進。不過另一方面講,應用銅互連技術可以減小晶元面積,同時由於銅導體的電阻更低,其上電流通過的速度也更快。
除了這兩樣主要的材料之外,在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料,它們起著不同的作用,這里不再贅述。
晶元製造的准備階段
在必備原材料的採集工作完畢之後,這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料,硅的處理工作至關重要。首先,硅原料要進行化學提純,這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要,還必須將其整形,這一步是通過溶化硅原料,然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。
而後,將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過,許多固體內部原子是晶體結構,硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求,整塊硅原料必須高度純凈,及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出,此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看,硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的,不過只要企業肯投入大批資金來研究,還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元,新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高,功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹晶元的製造過程。
單晶硅錠
在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後,下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片,切片越薄,用料越省,自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑,之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要,它直接決定了成品晶元的質量。
單晶硅錠
新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料,而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙,彼此之間發生原子力的作用,從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下,切片被摻入化學物質而形成P型襯底,在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計,這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下,必須盡量限制pMOS型晶體管的出現,因為在製造過程的後期,需要將N型材料植入P型襯底當中,而這一過程會導致pMOS管的形成。
在摻入化學物質的工作完成之後,標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱,通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度,空氣成分和加溫時間,該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中,門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分,晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動,通過對門電壓的控制,電子的流動被嚴格控制,而不論輸入輸出埠電壓的大小。准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果,而且在光刻蝕過程結束之後,能夠通過化學方法將其溶解並除去。
光刻蝕
這是目前的晶元製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟,為什麼這么說呢?光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕,由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格,需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量,而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話,可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比,甚至還要復雜,試想一下,把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上,那麼這個晶元的結構有多麼復雜,可想而知了吧。
當這些刻蝕工作全部完成之後,晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上,然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質,而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。
摻雜
在殘留的感光層物質被去除之後,剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後,另一個二氧化硅層製作完成。然後,加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體),多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕,所需的全部門電路就已經基本成型了。然後,要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊,此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接,沒個晶體管都有輸入端和輸出端,兩端之間被稱作埠。
重復這一過程
從這一步起,你將持續添加層級,加入一個二氧化硅層,然後光刻一次。重復這些步驟,然後就出現了一個多層立體架構,這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接,而Athlon64使用了9層,所使用的層數取決於最初的版圖設計,並不直接代表著最終產品的性能差異。
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試,包括檢測晶圓的電學特性,看是否有邏輯錯誤,如果有,是在哪一層出現的等等。而後,晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。
而後,整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中,那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝,這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後,還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品,一些晶元的運行頻率相對較高,於是打上高頻率產品的名稱和編號,而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造,打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的晶元癱瘓),那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量,降低了性能,當然也就降低了產品的售價,這就是Celeron和Sempron的由來。
在晶元的包裝過程完成之後,許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏,且產品完全遵照規格所述,沒有偏差。
Ⅵ 建新工廠怎樣核算成本投入
建新工廠,至少每一筆支出都要有分類明細賬。騁一個好會計,從最初的實收資本開始記賬,把每一筆支出詳細分類記載,比如說,購土地,繳納契稅,日常開支等。
Ⅶ 單晶硅的生產工藝流程
單晶硅的生產工藝:1.石材加工一開始是石頭(所有石頭都含硅)。這塊石頭被加熱後變成了液態。加熱後變成氣態,氣體通過一個密封的大盒子。盒子里有N多個加熱的子晶體,兩端用石墨夾住。當氣體通過盒子時,子晶體會將其中一種氣體吸收到子晶體中,子晶體逐漸變厚。因為有些變成固體了,所以很慢,大概一個月。2.酸洗當然還有大量的廢氣等等。(四氯化硅)在生產過程中產生。現在看來是處理不好了。事不宜遲,等原生多晶體有了,就開始酸洗,氫氟酸,硝酸,醋酸等等。原生多晶體外的東西洗干凈後,會放入烘房烘乾,無塵檢驗,包裝。3.拉晶要拉晶,拉晶就是在拉晶爐里加熱熔化多晶硅。將晶體向上提拉後,工人們首先將多晶硅放入應時坩堝中。(為了降低成本,工廠還會用一些洗過的電池片和碎矽片一起熔化。)關爐加熱。應時鍋的熔點是1700度,硅的熔點只有1410度左右。硅熔化後,應時坩堝慢慢上升,晶體從上面下降到坩堝的中心液面。同時鍋底電加熱,液面冷卻,晶體指向液面會出現光點。慢慢旋轉,拉起,放肩,轉肩,正常拉桿,完成。大約一天半後,一根單晶棒就會出來。4.切割正方形當單晶棒可用時,切割正方形。單晶棒通常為6英寸,P型,電阻率為0.5-6歐姆(一英寸約等於2.4厘米)。把棒的四邊切掉,做成帶倒角的正方形,切片,每片0.22毫米。
Ⅷ 投資做矽片廠要多少錢 {是用 普通沙子能煉出來的,能做光伏組件用的,謝謝}
要從普通沙子提煉到單晶硅,多晶硅的廠。要幾千萬把。