① 中石油晶元卡和非晶元卡區別
帶晶元的，自己可以加密信息，安全性更高。而且不存在消磁的問題，只要晶元正常就可以無限制的使用下去，壽命更加長。不帶晶元的卡，技術簡單，造價便宜但是信息更容易被盜取。
晶元卡，又稱IC卡，是指以晶元作為交易介質的卡，其工作原理類似於微型計算機，能夠同時具備多種功能，安全性較高。
晶元卡已成為全球銀行卡的發展趨勢，市場上有兩種晶元卡標准，一種是國際上應用較多的EMV標准，一種是央行的PBOC2.0標准。從2015年起，我國各銀行將陸續停發磁條卡，只發行晶元卡。
② 晶元被稱「新型石油」！你如何看待這種說法
晶元又被稱為新型實用，這是因為在許多的電子設備都需要依靠晶元的方式以支持它的運行。所以無論是我們常常所用到的手機還是其他的高科技產品，都需要晶元作為支撐。因此，晶元的研發也就成為了在如今時代非常重要的一項任務。如果一個國家失去了晶元的來源或者供給，對於一個國家在許多行業方面都會遭受重大的是東西。所以晶元被稱之為新型石油是有道理的，晶元作為不可或缺的資源，國家都是非常重要的，如果一個國家缺乏這方面的能力，將會導致其發展處於停滯的狀態。所以各國對晶元的研究都是非常的重視，並且對晶元的製造，機器光刻機的精度更是作為首要任務。
晶元也被稱為新型石油，這一個看似如此小體積的物件卻承載著巨大的內存量。因此，提高晶元的製造能力以及光刻機的精度是每個國家的首要目標之一。
③ 石油刮刮卡和晶元卡 充值卡都是什麼東西
石油刮刮卡和晶元卡 充值卡充值卡 就是你可以把錢充進去 然後自己加油 晶元卡也是充值卡的一種 刮刮卡那就是中獎 充了多少錢有中獎
④ 什麼是晶元
晶元是大規模的微電子集成電路。即微縮到納米（百萬分之一毫米）級的印刷電路版，傳統的印刷電路板正面一般是大量的各種無線電元器件，包括三極體、二極體、電容器、電解器、電阻器、中周調節器、開關器、功率放大器、檢波器和濾波器等等。反面是印刷在碳纖維板上的印刷電路和焊點。
晶元的製作過程主要有，晶元圖紙的設計→晶片的製作→封裝→測試等四個主要步驟。其中最復雜的要數晶片的製作了，晶片的製作要分為，硅錠的製作和打磨→切片成晶片→塗膜光刻→蝕刻→摻加雜質→晶圓測試→封裝測試。這樣一個晶元才算完成了。
晶元的應用
未來人類對晶元的需求如同人離不開空氣，在高智能科技時代，萬物互聯的信息識別點就是依靠晶元，晶元也分為高中低端，各類功能：識別晶元在各種證、卡和幣領域應用；感知晶元，在獲取數據、探測和搜索領域應用；計算晶元，在超算、計算機和計算器領域應用；獲取晶元，在數據搜集領域應用；邊緣計算晶元在分析可能發生的主體之外的其它一切不可測因素的應用；感知晶元，獲取目標、參照物參數的領域應用；存儲晶元，將海量信息數據進行分類、有效登記和保管的領域應用；控制晶元，嚴格管控時間、速度、距離、大小、長短、多少、程度和進度的領域應用；精量等功能的晶元，在人工智慧領域應用；搜索晶元，檢索信息、數據和符號領域應用；深度學習晶元，通過數據獲取、積壘、認識、比對、優選、生成和存儲的不斷完善，反復進行，不斷探索形成自主認知的過程應用等等，全新晶元理念，產品將大量產生。
晶元是人類走向智能化，自動化，無人化，萬物互聯，透明時代，大數據，雲計算，人工智慧，的根本保正。晶元和能源一樣重要，中國進口晶元，比石油花的錢都多。中美經濟戰爭的根源，實質就是晶元戰爭，未來高科技的競爭完全寫在晶元上。
⑤ 晶元是什麼用什麼材料做的有什麼特點和用途
除去硅之外，製造晶元還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的晶元工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了晶元的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。
除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。晶元製造的准備階段在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。
而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹晶元的製造過程。
單晶硅錠在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品晶元的質量。
單晶硅錠新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。
在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。
光刻蝕這是目前的晶元製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。
當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。
摻雜在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。
重復這一過程
從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異。
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。
而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的晶元癱瘓)，那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。在晶元的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。