A. 高溫超高壓法合成鑽石
早在18世紀的後期就已經證實了鑽石和石墨都由碳元素組成，後來就開始了合成鑽石的研究工作，經過較長時間的艱苦努力，於20世紀中葉才在實驗室合成出人工鑽石，初期的合成鑽石僅僅是磨料級的。我國在20世紀60年代也合成出了磨料級鑽石。
高溫超高壓法現又稱為高溫高壓法（HTHP）。由於超高壓設備和高溫技術的限制，起初合成鑽石進展較緩慢。直到1970年，美國GE公司才公布了第一顆寶石級合成鑽石的誕生，之後幾年各國一直在保密的情況下進行研究。進入90年代，合成鑽石有了突破性進展，日本的住友公司、英國的戴比爾斯公司和美國的GE公司等相繼公布了他們合成的寶石級鑽石，引起了珠寶界的震驚。
關於合成鑽石的方法，可分為靜壓法、動壓法和氣相外延生長法。大顆粒寶石級鑽石主要是用高溫超高壓（HTHP）靜壓法中的晶種觸媒法（包括壓帶法和BARS法）及最近多種媒體報道的化學氣相沉澱法（CVD法）合成的，本節及第七節將分別予以重點介紹。
一、HTHP法合成鑽石的原理
1.石墨與鑽石的轉換
合成鑽石就是人為地模擬天然鑽石的形成條件，使非金剛石結構的碳轉化為金剛石結構的碳。
鑽石的晶體結構是1913年由W.L.Bragy等測定出來的，鑽石大部分呈立方結構而石墨則呈層狀結構。金剛石的結構詳見本書「鑽石」一節，石墨結構如圖（4-1-20）。
圖4-1-20 石墨結構圖
鑽石中碳原子的2s、2px、2py、2pz四個軌道形成四個sp3雜化軌道，形成四面體配位，每個碳原子與周圍的四個碳原子形成共價飽和鍵，鍵長0.154nm。
石墨的碳原子分布在六角環上，每一個碳原子為相鄰的三個碳原子所圍繞，其間距為0.142nm。相鄰兩層碳原子錯位堆積，層間的間距為0.34nm，鍵力相對弱得多，所以石墨具一組極完全解理，可以滑移而分開。在高溫高壓下石墨可以轉化為金剛石。
如圖4-1-20所示，石墨的層間排列，間距為0.34nm，碳原子錯位堆積；高壓下Z軸方向中層間互相接近，由於碳原子錯位堆積，1 ′、3 ′、5 ′向上運動，1、3、5、2 ′、4 ′、6 ′向下運動，從而石墨結構變為金剛石結構。
圖4-1-21 碳的相圖
2.合成鑽石的生長機制
長期以來，各國科學家都在努力尋找金剛石晶體生長的條件。圖4-1-21是石墨－金剛石轉換相圖。由相圖可知：固相區I為石墨區，Ⅱ為金剛石區，Ⅲ為金屬碳區，還有液相區。在低壓高溫區，主要以石墨相存在，只有在較大的壓力和較高的溫度范圍內，金剛石才是穩定的相。除氣相法、外延生長法之外，金剛石晶體生長都在較高的壓力范圍內，觸媒法可以使壓力降低一些。
由相圖4-1-21還可以看出，在相圖上部，碳質原料在超高壓高溫下，碳原子集團經過壓縮、切變、熱振動，使非sp3雜化的原子軌道向sp3雜化轉化，從而使金剛石成核生長。在低於上述壓力下，在金剛石、石墨穩定區界線上，壓力和溫度不足以使碳原子達到金剛石結構。但如果利用熔劑－觸媒的復合作用，仍可達到目的，因為這些熔劑的熔化溫度相對低，並與碳共熔，使碳原子與熔劑相互擴散，形成二維、三維的間隙相，最終形成金剛石相。
現代的科技條件，很容易實現穩定可靠的技術裝備和實驗條件，因此，生長出寶石級鑽石就成為可能。近幾年，各國科學家進行了大量研究，就溫度、壓力、時間等實驗條件和熔媒種類、碳質原料種類、雜質影響等各方面得出許多實驗資料和經驗，從而更加完善了合成鑽石的生長理論。
二、HTHP法合成寶石級鑽石的設備與合成工藝
（一）HTHP法合成鑽石的設備
靜壓法合成鑽石的設備大致可以分為四部分，即大噸位的液壓機、合成鑽石用高溫高壓容器（即模具）、加熱系統和控制檢測系統。
由於採取的是超高壓設備，從技術上有許多難題，如材料的力學性能要高，加工精度高，壓機能長時間保持壓力穩定並可以升壓和降壓。這對壓機油缸、密封、液機元件、機械加工精度等均提出了很高的要求，達到這些要求絕非易事，它與整個機械工業水平有關。
此外，對於壓力容器的要求則更高。首先是材料問題，能承受高溫下500×108Pa以上的壓力的材質較少，且價格昂貴，高壓下材料的性能有可能改變，甚至會自爆。目前，加熱系統和測量系統已實現了自動化。
實現HTHP法的設備方案較多，有六面頂、四面頂、兩面頂。下面以兩面頂年輪式為例介紹一下設備原理（見圖4-1-22）。1為油壓機機架，可以整體鑄造，對於小於1000噸位的壓機可以採用鑄件，如果噸位較大，可以用纏繞式機架，即機架由鋼絲或鋼帶纏繞而成；2為高壓容器，是合成金剛石的關鍵部分，對它的材質、加工精度、形狀設計都有嚴格的要求；3為油缸，內部活塞靠高壓油上下移動，使模具壓緊，這和其他類型油壓機原理類似。
年輪式高壓模具如圖4-1-23所示。
圖4-1-22 主壓機示意圖
圖4-1-23年輪式高壓模具
圖4-1-23中1為壓缸，它是由硬質合金做成的，一般為W、Co、C合金，w（Co）=15%;2為壓砧，也是硬質合金，一般w（Co）=6%;3為耐熱含金鋼環；由壓缸和壓砧組成一個艙體4，是合成金剛石的室。年輪式高壓模具也可用鋼絲纏繞而成，以使應力分布更合理，從而提高模具的使用壽命。合成金剛石所採用的生長艙有各種結構，簡單的生長艙結構如圖4-1-24所示。
圖4-1-24中，1為葉蠟石，是理想的固體傳壓介質和絕緣介質，由於它含結晶水，影響金剛石的合成，目前大部分是用燒過的葉蠟石粉末再壓製成型，不僅降低成本，提高了材料利用率，而且滿足了合成工藝的要求。葉蠟石是合成金剛石工藝中的關鍵性輔助材料，其作用是：傳壓、保溫、絕緣、密封。
圖4-1-24 金剛石生長艙
圖4-1-24中，2為石墨片，合成金剛石就是使石墨結構的碳轉化為金剛石結構的碳，因此，碳質材料是關鍵材料。從理論上講，各種形式的碳均可以轉化為金剛石，但研究表明，不同的碳質材料對生長金剛石的數量、質量和顆粒大小均有相當大的影響，石墨轉化為金剛石的自由能較低，因此使用較廣泛。現在國內常用的石墨材料為GAI（原SK-2），它是採用熟石油焦粉、瀝青焦粉和鱗片石墨為原料，並外加熔化瀝青作結合劑加工而成的。
碳質材料是影響合成金剛石質量和產量的重要因素之一，為了獲得較好的金剛石，對石墨有如下要求：①石墨有一定的氣孔率，這樣可以增加反應面積；②在合成金剛石的碳質素中，含少量Ni、Fe、Na、Co等元素是必要的，因為這些元素在合成過程中可以促進碳原子的活化，破壞原生的結構，為金剛石長大創造條件；③對石墨的結晶化程度也有要求，晶體的多少和排列對金剛石的轉化都有作用，石墨化程度高，從動力學觀點來看，轉化為金剛石相對容易。
圖4-1-24中，3為金屬合金，即觸媒片，根據碳的相圖，石墨轉化為金剛石時要1.25×1010Pb的壓力和2700℃以上的溫度，為了使合成溫度有所降低，用加入合金的辦法，使碳在熔化的合金的作用下，以類似於熔鹽法生長晶體的過程生長。在研究過程中，採用了各種金屬做試驗，現在大部分用Ni、Mn、Co、Fe的合金，甚至有專門用於合成金剛石的合金片，如Ni95Co5、Ni65Mn35、Fe73Co27等。研究表明，Ni、Mn、Co、Fe、Cr等元素或由它們組成的二元、三元、多元合金，是合成金剛石基本的、有成效的觸媒合金，若摻入微量Cu、Nb、Mg、B、Al等，不僅可改變金剛石成核與生長的條件，而且還可以生長出不同的金剛石。
晶體生長艙有各種形式的排列和組合，圖4-1-25為一種大顆粒金剛石生長室的結構。把原料如圖裝進生長艙（即壓缸）內，起動壓機，把兩個壓頭壓緊密封，並通電加熱。用這種加壓、加溫方式，可以生長出大於1mm的金剛石，但單次產量不高。
圖4-1-25 大顆粒金剛石生長艙
關於高溫加熱系統，在靜壓法中有直接加熱和間接加熱兩種，直接加熱是通過反應材料本身發熱，間接加熱是通過套在外面的石墨管（與缸體絕緣）加熱。
（二）HTHP法合成寶石級鑽石的工藝過程
最常見的合成寶石級鑽石的方法是壓帶法和BARS法。
1、壓帶法合成鑽石工藝
1955年通用電器公司（GE）宣布利用壓帶（belt）裝置首次成功生產出合成鑽石，直至1970年通用電器公司採用晶種觸媒法經過七天的生長獲得了大於5mm、重約1ct的鑽石單晶，其生長艙如圖4-1-26所示。
圖4-1-26 合成寶石級鑽石生長艙（a）和改進後的生長艙（b）
圖4-1-26所示的生長艙分上下兩部分，作為碳源的金剛石粉放在壓腔中心區，兩端放置籽晶，觸媒金屬（鐵或鎳）放在碳源與籽晶之間，利用碳管的電阻加熱（用碳管的不同厚度或用其他熱材料放在不同部位也可改變溫度梯度），在艙內保持一定的溫度梯度，中心碳源區溫度最高，端部結晶生長區的溫度最低。當加熱到1700℃時，金屬觸媒熔融，中心碳源區的金剛石粉就不斷溶解到金屬觸媒中變成游離碳原子。起初，碳的密度比金屬小，因此籽晶有從底部晶床向艙體中心區（籽晶被溶解）或從中心區向上端晶床上浮的傾向，約1h後達到平衡。頂部晶床含有許多細小的金剛石晶體，而在底部晶床上剩下少量的金剛石晶核，由於碳在金屬中已達到飽和，所以金剛石晶核不再繼續溶解，金屬熔融體中的碳開始了緩慢的擴散過程。由於艙體內溫度中心區高、兩端低，所以中心區溶解的碳原子多於端部，並向端部進行擴散，從而沉積在金剛石晶核上。這個過程不斷進行，直到中心區的細金剛石粉用完為止。若能使艙體中部與端部的溫度梯度保持在30℃/cm時，晶體就能穩定地生長成寶石級大小的金剛石。又由於底部晶床晶核少，故能獲得大的寶石級金剛石。
實驗證明只要保持溫度為1370℃、壓力為6.0×109Pa，生長一周即可獲得5mm大小（約lct）的寶石級金剛石。若在艙體中加入適當的微量元素，可改善金剛石的性能，使金剛石著色，如加入氮，可使金剛石晶體顯黃色；加入硼，呈藍色，並具有半導體的性質。
2.「BARS」法合成鑽石工藝
1990年俄羅斯公布了他們用BARS系統生長合成鑽石的成果，BARS的意思是分裂球無壓裝置。近年來，美國Gemesis公司的技術人員在俄羅斯技術的基礎上改進，設計了一個新的BARS「分離體」的裝置。該裝置合成艙體（大約有2.5cm厚）中的壓力是從一個連續的碳化鋼壓砧復合施壓而獲得的。內艙設置6個壓砧，這些壓砧位於立方體的面部，圍繞著合成艙體；外艙設置8個壓砧，它們位於八面體的面部，圍繞著內艙。整個排列好的多壓砧部件被放在兩個鋼鑄的半球中（這兩個鉸接的半球就稱為「分離體」，可以作為壓砧和合成艙體的通道），有兩個大鋼鋏把這些部件連接在一起，見圖4-1-27。這種「BARS」裝置採用石墨管來加熱合成艙體。
圖4-1-27 改進的「BARS」法合成鑽石裝置
經過改進的設備具有使用壽命較長、生產率高、操作較為簡單、更容易維護等特點。重要的是，它的操作十分安全，在操作過程中高壓容器泄漏而導致危險的機率也很小。除了純度、濃度和晶體的初始生長外，商業化寶石級合成鑽石生長的關鍵是要小心謹慎地通過電腦控制整個晶體生長過程的溫度和壓力，以保證持續穩定的生長環境。另一個技術創新就是鑄造半球可以開合，便於進行樣品的裝卸。
使用這種改進的設備，生長3.5ct的合成鑽石晶體大約需要80h。合成鑽石中黃色的濃度及晶體的外形、對稱性、透明度，均可以控制在一定的范圍內。該裝置曾用實驗的方法在一個艙體內生長出多個晶體，晶體生長的周期為36h。但是，由於容積所限，這些晶體生長得很小。倘若艙體內生長4個晶體，則每個晶體只有0.6ct大小；如果艙體內生長8個晶體，則每個晶體只有0.35ct。
「BARS」法合成鑽石的工藝條件為：
1）壓力5.0～6.5GPa（相當於5萬～6.5萬大氣壓）。
2）溫度1350～1800℃。
3）觸媒各種過渡金屬（如Fe、Ni、Co等）。
4）種晶天然鑽石或合成鑽石。
5）碳源石墨粉或金剛石粉。
種晶的定位決定了生長晶體的晶形。在合成艙體的頂端（亦稱「熱端」，放置碳源）和底端（亦稱「冷端」，放置晶種）存在著很小但卻很重要的溫差。該溫差為鑽石晶體的生長提供了動力，因此，這項技術也被稱為「溫度梯度」法。在高溫高壓的條件下，原料區的石墨粉迅速在熱端熔融於金屬熔劑中。在溫度梯度的推動下，熱區碳原子通過熔劑，向艙體冷端擴散，最終沉積在籽晶上，結晶成為單晶體。
B. 英雄聯盟手游鑽石加分機制是什麼英雄聯盟手游鑽石加分機制詳解
英雄聯盟手游鑽石加分機制是什麼英雄聯盟手游鑽石加分機制詳解。英雄聯盟手游中的每個分段的加分機制都不太一樣，那麼英雄聯盟手游鑽石加分機制是什麼呢?相信還有很多小夥伴不羨液知道，下面是小編給大家分享的英雄聯盟手游鑽石加分機制介紹，感興趣的小夥伴們一起來看看吧。
鑽石加分機制介紹
【加分機制】
1、勝率50%
勝率50%左右的玩家，加分還是比較復雜的，具體如下：
A、0-30分：贏一把加13分，輸一把掉12分
B、30-50分：贏一把加12分，輸一把掉13分
C、50分以上：贏一把加11分，輸一把掉14分
D、70分以上：贏一把加10分，輸一把掉15分
2、勝率60%-70%
70分以上後贏一把只加11分。
3、100%勝率連勝到鑽二，中間一把不輸，後面輸贏都是16-18。
簡單來說，加分會受到隱藏分影兄族物響，隱藏分差距越大，勝利時穗汪加的越少，輸時扣的越多。如果你隱藏分太低了，贏一把就算打得再怎麼好，都是加10-11分。
C. 人造鑽石是怎麼做的啊
、鑽石的單折光性 鑽石的單折光性，是由於鑽石的本質特性決定的。而其它天然寶石或人造寶石大都是雙折光性的。冒充的鑽石在10倍放大鏡觀察下，從正面稍斜的角度看，很容易看出稜角線出現重疊影像，並同時呈現出兩個底光。雙折射率差別小的如鋯石等，也可看出底光重疊的影像。 2、鑽石的吸附性 鑽石對油脂及污垢有一定的親和力，即油污很容易被鑽石吸附。因此，用手指撫摸鑽石會感到膠粘性，手指似乎有粘糊的感覺。這是任何寶石所沒有的。這種方法需要加以訓練方能掌握其中微妙的區別。 3、一線直落的特徵 鑽石表面拋光很光滑。用一支鋼筆蘸上墨水在鑽石上劃過，若是真鑽石，表面留下的是一條光滑連續的線條，特徵是一線直落。仿冒品留下的是一個個小圓點組成的線條。用此法觀察應藉助放大鏡。 4、特有的金剛光澤 大致在100度的白熾燈光下，切磨很好的鑽石與仿冒品相互比較，很容易看出哪個具有金剛光澤。此方法不宜在過暗或過強的燈光下是進行。 是可以做
D. 我的世界鑽石怎麼做
《我的世界》講述的是玩家可以在這個完全屬於自己的游戲世界中創造任何自己所能想像的事物。有不少玩家不知道我的世界鑽石怎麼做？下面深空高玩就給大家分享一下我的世界鑽石製作教程攻略，大家一起去看看吧。
磚石
類型 原材料
耐久度 N/A
可再生 否
可堆疊 可以 (64)
首次出現於 Indev
數據值 DEC: 264 HEX: 108 BIN: 000100001000
名稱 diamond
獲得
自然生成
鑽石有7.4%的幾率生成於要塞祭壇的箱子里，19.2%的幾率生成於下界要塞的箱子里，6.3%的幾率生成於沙裂磨漠神殿的箱子里，16.3%的幾率生成於村莊鐵匠的箱子里，以及15.5%的幾率生成於叢林神廟的箱子里，全部以1_3個為一組的形式出現，10.5%的幾率生成於廢棄礦井的運輸礦車里，以1_2個為一組的形式出現，也有21.5%的幾率生成於末地城的羨喊箱子里，以2_7個為一組的形式出現。
挖掘
鑽石礦石被鐵鎬或鑽石鎬挖掘會掉落1個鑽石。使用時運附魔的鎬挖掘會每等級增加1可能的鑽石數量，時運III最多會掉落4個鑽石。如果使用精準採集附魔的鎬採集鑽石礦石，會掉落鑽石礦石而不是鑽石。
合成
燒煉
用途
鑽石可以製造耐久度最高的工具肆派斗和盔甲。
作為合成材料
交易
盔甲商、武器商和工具商村民在第三層交易以1個綠寶石收購3-4個鑽石。
修復
鑽石頭盔、胸甲、護腿、靴子、劍、鎬、斧、鋤和鍬能在鐵砧用鑽石來修復。
成就
我的世界1.9中文版
E. 鑽石是怎麼做成的
【鑽石製成方法】明亮式切割的出現是切割鑽式的一大進步，使鑽石有更美好的亮光與火彩。
1、劃線：又叫標記，這是鑽石切割的第一步，先檢驗鑽坯、並在鑽石表面做標記，做這項工作的人有著豐富的經驗並精通加工技術。最終目的是製造出最大、最干凈、最完美的鑽石，以盡可能高地體現鑽石的價值。劃線員必須留意兩點：既要盡量保持最大的重量，又要盡量減少內含物。劃線員利用放大鏡研究鑽坯的結構，如果是大顆粒鑽石，這項工作可能要歷時數月，對普通鑽坯則需要幾分鍾。通常盡可能地沿鑽石的天然紋理方向劃線。
2、分割原石：包括劈割和鋸切。
3、劈割：劈割師將劃好線的鑽坯安放在套架上固定，然後用另一顆鑽石沿分割線削一個凹痕，再把方邊刀具放在凹痕上，用手錘在劈刀上以合適的力敲擊，鑽石會沿紋理方向被劈成兩半或多塊。
4、鋸切：大多數鑽石並不適宜劈開，這時需要用鋸切開，由於只有鑽石才能切割鑽石，因此鋸片是一張在邊緣塗有鑽石粉及潤滑劑的圓片。鑽石固定在夾子上，鋸盤以高速旋轉，即可將鑽石鋸開。現代激光技術引入鑽石切割，大大提高了鑽坯的加工效率。
5、成型：鋸開或劈開的鑽石再送到打圓部門去打圓、成型，即按照設計要求將鑽石做成設計的形狀。
6、起瓣、拋光：在一個塗有鑽石粉和潤滑油的鑄鐵圓盤上，車磨出所有瓣面（刻面），使鑽石發出誘人的光彩。
F. 鑽石是怎麼做出來的
人工合成鑽石的技術，主要就是模仿天然鑽石生長時的環境來培養鑽石。合成鑽石就晶體形成之生長方式而言，大致可分為三種方式：一就是高溫高壓法，二是震波法，三是化學氣相沉澱法。
一、高溫高壓法：這種方法用的材料有煤、焦炭、石墨、石蠟、糖等；有份報告曾列舉二十幾種合成成功的材料。應用的催化劑可用鐵、鈷、鎳、銠、釕、鈀、鋨、銥、鉻、鉭、鎂，或這些金屬元素的混合物。要求至少要達75,000atm(大氣壓)，最好在80,000atm至110,000atm的高壓狀態，形成溫度則要在1200℃�9�12000℃之間，最好是在1400℃�9�11800℃之間。反應艙的中部為高溫區，碳源置放在該區，晶種放在反應艙下部的低溫區。以石墨為碳源，晶種固定在氯化鈉（食鹽）晶床內，晶種某特殊晶面對著金屬催化劑，在晶種和碳源之間放置直徑６mm，厚３mm，金屬催化劑圓柱，此金屬催化劑是鐵鎳合金。組合後，置入單向加壓，四塊斜滑面式立體超高壓高溫裝置中，再放入１０００頓的油壓機內，反應腔溫度約１４５０℃，壓力控制在６GPa左右，生長時間２２~５２小時。
二、震波法：主要是利用爆炸時所產生的瞬間高溫高壓條件來合成鑽石，所合成的鑽石顆粒都很小(通稱鑽石粉)，只適合在工業上應用。
三、化學氣相沉澱法：首先把氫氣和含碳氫的氣體(一般使用甲烷CH4)，通過一組調節器，調節兩種氣體的比例，然後利用微波波源或電熱絲等，加熱混合的氣體，使溫度達2000℃左右，氫氣和甲烷會分解成氫原子和碳原子形成的電漿流，然後在加熱至600~1000℃的基質上，結核長成薄膜。
G. mc刷鑽石機怎麼做
mc刷鑽石機的做法步驟如下：
操作環境：聯想G700、Windows10系統、我的世界v1.19.10.20版本等。
1、用平滑石英塊先建一個地基，將左右兩邊平滑石英塊去掉。
H. 英雄聯盟手游鑽石加分機制
英雄聯盟手游鑽石加分機制主要取決於賬號中的隱藏分，當玩家隱藏分超過段位平均水平時，系統就會在勝利後多給你加分讓你加速匹配到同水平的隊友，相反隱藏分低每局贏得時候加的勝點就低，輸的時候扣的多。
英雄聯盟手游鑽石加分機制主要取決於大家的隱藏分，例如隱藏分達到了大師級別，但是段位依然在鑽石，技術系統判定我們的水平應該在更高的段位，那麼系統就會讓獲勝獲得的積分變多，失敗扣除的積分變少。
反之如果我們的隱藏分是鉑金級別的，但是段位卻到了鑽石。此時系統判斷我們實力不夠打鑽石局，那麼贏一把加的分變少，輸一把扣的分變多，讓我們不容易晉級。
勝率在50%左右：
0-30分：贏一把加13分，輸一把掉12分。
30-50分：贏一把加12分，輸一把掉13分。
50分以上：贏一把加11分，輸一把掉14分。
70分以上：贏一把加10分，輸一把掉15分。
勝率在60%-70%，70分以上後贏一把也只加11分。
100%勝率連勝到鑽二，中間一把不輸，後面輸贏都是16-18。
I. 《王者榮耀》鑽石分段排位機制
排位賽機制介紹：
1、排位賽的周期：每屆排位聯賽的持續時間為三個月，當賽季結束的時候對排位賽成績進行結算，所有參與排位賽的玩家將根據本賽季所達到的最高段位獲得對應的鑽石獎勵。
2、蔽襪滾參與規則：當等級達到6級時，即可開啟排位聯賽，只有擁有5個及5個以上英雄時，才可參加排位聯賽，所有排位聯賽的選手，都只能以個人名義參與比賽，系統將會根據大家的實力情況，匹配到適合的隊友及對手進行對局。
3、段位規則：排位聯賽一共分為6個大段位，分別是倔強青銅、秩序白銀、榮耀黃金、尊貴白、鉑金、永恆鑽石、最強王者，其中前5個大段位均有1、2、3，三個小段位，而所有進入最強王者的玩家，將會根據實力情況進行全服排名。
4、結好彎算獎勵：每個賽季結束時，所有參與排位賽的玩家將根據本賽季所達到的最高段位獲得對應的鑽石獎勵。
最強王者=3000鑽
永恆鑽石=2000鑽
尊貴鉑金=1500鑽
榮耀黃金=1000鑽
秩序白銀=500鑽
倔強青銅=300鑽
進入到排位賽系統後，當前界面中會顯示你目前的段位等級，只有將上方的星星打滿，才可以進入到下一個小段位，在排位賽中每勝利一次記錄一顆星。宏余而最近比賽可以看到在最近的排位賽中的比賽情況，包括比賽時間、使用的英雄、擊殺/死亡/助攻，出的裝備，右側顯示為本賽季的周期時間。
點擊左下方的賽季成績進入到歷史成績界面中，可以看到之前賽季的歷史戰績，包括的信息有：賽季的時間、達到的段位、常用的英雄、戰斗場次、勝場次數、勝率、最高連勝是多少，還有單個英雄的場次及勝場。